氮化镓

氮化镓简介

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氮化镓知识

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  浅谈氮化镓快充芯片方案

  氮化镓芯片在快充技术中扮演着重要的角色，氮化镓芯片可以作为控制器和管理器，监测和调整充电电流、电压和充电模式，确保快充过

  2023-09-19 标签： 半导体 氮化镓 快充芯片 41 0

• 为什么说大功率器件氮化镓遥遥领先

  氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。随着半导体化合物的稳定发展，第三代半导体具有高穿透电场、高

  2023-09-19 标签： 氮化镓 大功率器件 27 0

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  氮化镓功率器件的工艺技术说明

  氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构

  2023-09-19 标签： MOSFET MOS管 氮化镓 77 0

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  了解氮化镓芯片的应用和发展

  GaN（KT65C1R200D）具有高带隙、高饱和电子迁移速度、高热导率等特点。因此，GaN比Si更适合于大功率和高频功

  2023-09-18 标签： 芯片 氮化镓 GaN 148 0

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  支持PD3.0，30W标准续航苹果15充电头解决方案

  近期，展嵘再次给电源适配器开发了新的方案，支持PD3.0的30W氮化镓充电头，一共有两个接口：A+C。该方案使用的是主控

  2023-09-18 标签： 苹果 氮化镓 pd3.0 73 0

• 长电科技加速扩充中大功率器件成品制造产能，面向第三代半导体市场解决方案营收有望大幅增长

  新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未

  2023-09-18 标签： 半导体 氮化镓 长电科技 75 0

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  电子元件失效分析

  电子元件是电子设备和系统产品的最基本组成部分，其性能和可靠性对电子设备和系统的安全可靠运行至关重要。

  2023-09-15 标签： 静电放电 氮化镓 红外光谱仪 194 0

• 氮化镓充电器理到底有哪些黑科技

  对于近几年的电子产品来说，随着充电技术的普及，快速充电技术在各种电子设备上得到了普及。我们经常在智能手机上看到40W快充

  2023-09-14 标签： 充电器 氮化镓 71 0

• MOFEST市场是否会被氮化镓取代？

  与等效硅基解决方案相比，氮化镓基HEMT的开关更快、热导率更高和导通电阻更低，因此在电路中采用氮化镓晶体管和集成电路，可

  2023-09-14 标签： MOSFET 电源转换 氮化镓 70 0

• 半导体材料的发展历程

  在上周的推文中，我们回顾了半导体材料发展的前两个阶段：以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、磷化

  2023-09-14 标签： 半导体 半导体材料 氮化镓 136 0

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氮化镓技术

氮化镓功率器件的工艺技术说明

氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构

2023-09-19 标签： MOSFETMOS管氮化镓 77 0

电子元件失效分析

电子元件是电子设备和系统产品的最基本组成部分，其性能和可靠性对电子设备和系统的安全可靠运行至关重要。

2023-09-15 标签： 静电放电氮化镓红外光谱仪 194 0

半导体材料的发展历程

在上周的推文中，我们回顾了半导体材料发展的前两个阶段：以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代。（了...

2023-09-14 标签： 半导体半导体材料氮化镓 136 0

硅基氮化镓未来发展趋势分析

GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化...

2023-09-14 标签： 射频无线电氮化镓 131 0

如何有效利用氮化镓提高晶体管的应用？

如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降...

2023-09-13 标签： 晶体管氮化镓GaN 59 0

氮化镓功率器就是电容吗 氮化镓功率器件的优缺点

氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开...

2023-09-11 标签： 导通电阻功率器件氮化镓 27 0

氮化镓的市场在哪些领域？封装技术是怎样的？

氮化镓(GaN)作为一种宽带隙化合物半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、导热系数高、开关频率高、抗辐射能力强等优点。 其中，高开关频率意味着应用电路...

2023-09-07 标签： 封装技术氮化镓GaN 99 0

通过单片GaN集成提高性能，同时减小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范围内的氮化镓 （GaN） 异质结场效应功率晶体管已被证明在功率转换、电机驱动和激光雷达脉冲光等应用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 标签： emi雷达栅极 526 0

安规贴片Y电容有什么优势？

传统的安规Y电容是插件形式的，体积较大，安装很占用空间，同时还需要人工插件，安装效率极低，为了解决这个难题，科雅推出了JK-ET系列贴片Y电容，什么是安...

2023-09-06 标签： 电容电路板氮化镓 141 0

第三代半导体氮化镓65W快充芯片已经成为行业主流？

氮化镓（GaN）功率芯片将多个电力电子功能集成到一颗GaN芯片中，可有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情况下，GaN功率芯片可以使先进...

2023-09-05 标签： 芯片氮化镓快充 224 0

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氮化镓资讯

浅谈氮化镓快充芯片方案

氮化镓芯片在快充技术中扮演着重要的角色，氮化镓芯片可以作为控制器和管理器，监测和调整充电电流、电压和充电模式，确保快充过程的安全和稳定。它可以精确控制充...

2023-09-19 标签： 半导体氮化镓快充芯片 41 0

为什么说大功率器件氮化镓遥遥领先

氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。随着半导体化合物的稳定发展，第三代半导体具有高穿透电场、高导热率、高电子迁移率、高操作温度...

2023-09-19 标签： 氮化镓大功率器件 27 0

了解氮化镓芯片的应用和发展

GaN（KT65C1R200D）具有高带隙、高饱和电子迁移速度、高热导率等特点。因此，GaN比Si更适合于大功率和高频功率器件。具有体积小、散热容易、损...

2023-09-18 标签： 芯片氮化镓GaN 148 0

长电科技加速扩充中大功率器件成品制造产能，面向第三代半导体市场解决方案营收有望大幅增长

新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创...

2023-09-18 标签： 半导体氮化镓长电科技 75 0

GaN行业新标杆：比业界最佳Si MOSFET效率高2%，兼容所有驱动器

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）为了实现“双碳”（“碳达峰”和“碳中和”）目标，全球主要国家和地区在环保法规上持续收紧，给消费、汽车、工业和能源等重点领域...

2023-09-15 标签： 氮化镓GaN栅极驱动器 924 0

氮化镓充电器理到底有哪些黑科技

对于近几年的电子产品来说，随着充电技术的普及，快速充电技术在各种电子设备上得到了普及。我们经常在智能手机上看到40W快充、65W快充等字样。充电环节中最...

2023-09-14 标签： 充电器氮化镓 71 0

MOFEST市场是否会被氮化镓取代？

与等效硅基解决方案相比，氮化镓基HEMT的开关更快、热导率更高和导通电阻更低，因此在电路中采用氮化镓晶体管和集成电路，可提高效率、缩小尺寸并降低各种电源...

2023-09-14 标签： MOSFET电源转换氮化镓 70 0

三安半导体首发8英寸碳化硅衬底，国内8英寸加速布局！

从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，较2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化镓）产能2,000片/...

2023-09-14 标签： SiC氮化镓碳化硅 359 0

什么是氮化镓半导体器件？氮化镓半导体器件特点是什么？

氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非...

2023-09-13 标签： 半导体氮化镓GaN 188 0

低成本垂直GaN（氮化镓）功率器件的优势

GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型...

2023-09-13 标签： 功率器件氮化镓GaN 102 0